在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。
RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。
RIE-PE刻蝕機(jī)為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求，各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)滿足工藝需求。主要有以下幾類(lèi)；
2、等離子體技術(shù)：等離子體密度和能量單獨(dú)控制。
3、等離子體約束：減少Particle，提高結(jié)果重復(fù)性。
4、工藝組件：適應(yīng)不同工藝需求，對(duì)應(yīng)不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。
1、雙區(qū)進(jìn)氣的目的是通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個(gè)刻蝕均一性，結(jié)果比較明顯。
6、反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；由200mm時(shí)的側(cè)抽，改為下抽或者側(cè)下抽。有利于提高氣流均一性。
5、 Narrow Gap：窄的Gap設(shè)計(jì)可以使得電子穿過(guò)殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。
RIE-PE刻蝕機(jī)特點(diǎn)：
1、高選擇性各向異性腐蝕，符合苛刻的制程要求。
2、全自動(dòng)"一鍵"操作*代替手動(dòng)操作。
3、易于使用的電腦觸摸屏的參數(shù)控制和配方輸入和存儲(chǔ)。
4、晶圓尺寸達(dá)8"英寸直徑，圓滑、緊湊的設(shè)計(jì)使用zui少的潔凈室空間。
5、RIE-PE刻蝕機(jī)設(shè)計(jì)用于蝕刻氮化物、氧化物和任意需要氟基化學(xué)的薄膜或基片。其安裝在節(jié)省空間的平臺(tái)上的模塊化設(shè)計(jì)，使其成為*許多用戶的系統(tǒng)。
6、選項(xiàng)：ICP(電感耦合等離子)、渦淪泵、帶背側(cè)氦冷卻系統(tǒng)和端點(diǎn)檢測(cè)系統(tǒng)的靜電吸盤(pán)等。
7、產(chǎn)品已全面開(kāi)發(fā)出各種工藝，RIE-PE刻蝕機(jī)用于對(duì)使用氟基化學(xué)的材料進(jìn)行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括：碳、環(huán)氧樹(shù)脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢。
產(chǎn)品分類(lèi)
更新時(shí)間：2017-10-19 
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