等離子輔助MOCVD技術

NMC-4000(M) MOCVD設備概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10^-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。

目前，這項技術延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產(chǎn)量的要求。

NMC-4000(M) MOCVD設備特點：

• 臺式系統(tǒng)
• 10英寸不銹鋼腔體
• 帶碰頭氣體分配器的射頻等離子源
• 自動調節(jié)
• 4英寸基片夾、可加熱到900°C
• 5個帶獨立冷卻/加熱的起泡器
• 加熱氣體管道
• 附加流量控制器
• 250升/秒渦輪分子泵組
• 5×10^-7托基準壓
• 電腦程序全自動驅動
• 儀器模擬用戶界面
• 緊急按鈕保護和安全互鎖

選配：

• 立式獨立系統(tǒng)
• 感應耦合等離子或微波等離子源
• 14英寸電解拋光立方體腔體
• 8英寸或12英寸基片夾
• 6英寸可加熱至700°C旋轉基板臺（4英寸可到950°C）
• 附加的起泡器和MFC
• 晶圓自動裝載/卸載
• 可兼容集群配置

應用：

• 3到5族半導體層
• 藍色發(fā)光二極管
• 激光二極管
• 紫外-可見光譜光電中的氮化銦納米棒
• 3D或2D材料中的二硫化鉬、氮化硼、石墨烯